首页 >ME9953A>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
BREAKOUT,CRIMPONFORRG58,STANDARDSTACKINGBANANAPLUGS | PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc. | PASTERNACK | ||
41CHPowerManagementIC | RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司 | RichTek | ||
PowerTransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181. | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
PowerTransistor(80V,1A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
PowerTransistor(80V,1A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
PowerTransistor(80V,1A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181. | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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