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50P06	文件：971.65 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
50P06	文件：43.68 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel60-V(D-S),175CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
50P06	文件：144.02 Kbytes Page：3 Pages	-50A,-60VP-CHANNEL(D-S)POWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
50P06	文件：128.889 Kbytes Page：2 Pages	P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
50P06	文件：267.08 Kbytes Page：2 Pages	IscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
50P06	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
BR50P06	文件：926.55 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
FIR50P06PG	文件：4.05386 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FQD50P06	文件：297.56 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM50P06	文件：576.22 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM50P06K	文件：654.36 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ME50P06	文件：971.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP50P06KDG	文件：1.33025 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17mMax.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23mMax.(VGS=-4.5V,ID=-25A) Lowinputcapacitance:Ciss=50	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P06KDG	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP50P06SDG	文件：1.35796 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=16.5mMax.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23.0mMax.(VGS=-4.5V,ID=-25A) Lowinputcapacitance:Ciss	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SQD50P06	文件：155.88 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQM50P06	文件：163.69 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TS50P06G	文件：234.96 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS50P06G	文件：210.87 Kbytes Page：4 Pages	50A,600V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS50P06G	文件：221.67 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ME50P06TF供应商更新时间2024-6-1 9:30:00

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