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ME20P06	文件：985.5 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20P06	文件：988.36 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB20P06	文件：441.65 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB20P06	文件：103.82 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-15A,RDS(ON)=105mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
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CED20P06	文件：143.45 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-13A,RDS(ON)=105mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
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CHM20P06PAPT	文件：184.65 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT13Ampere FEATURE Smallflatpackage.(TO-252A) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
EMB20P06A	文件：231.19 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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MTD20P06	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20P06HDL	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20P06HDL	文件：91.91 Kbytes Page：8 Pages	P?묬hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多ME20P06供应商更新时间2024-4-29 16:16:00

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