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MDS16	文件：57.55 Kbytes Page：7 Pages	SMD Schottky Bridge Rectifier 文件：57.55 Kbytes 页数：7 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA
MDS160A08	文件：1.10739 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Low reverse leakage curren t High surge current capabili ty Compliant to RoHS directive 2011/65/EU 文件：1.10739 Mbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MDS160A10	文件：1.10739 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Low reverse leakage curren t High surge current capabili ty Compliant to RoHS directive 2011/65/EU 文件：1.10739 Mbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MDS160A12	文件：1.10739 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Low reverse leakage curren t High surge current capabili ty Compliant to RoHS directive 2011/65/EU 文件：1.10739 Mbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MDS160A14	文件：1.10739 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Low reverse leakage curren t High surge current capabili ty Compliant to RoHS directive 2011/65/EU 文件：1.10739 Mbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MDS160A16	文件：1.10739 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Low reverse leakage curren t High surge current capabili ty Compliant to RoHS directive 2011/65/EU 文件：1.10739 Mbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MDS160	文件：321.15 Kbytes Page：2 Pages	Three Phase Bridge Rectifier, 160 Amps 文件：321.15 Kbytes 页数：2 Pages	NAINA	NAINA
MDS1651	文件：647.57 Kbytes Page：6 Pages	Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 11.6A, 17m(ohm) 文件：647.57 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1651RH	文件：647.57 Kbytes Page：6 Pages	Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 11.6A, 17m(ohm) 文件：647.57 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1652	文件：705.51 Kbytes Page：6 Pages	Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 17A, 6.5m(ohm) 文件：705.51 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP

技术参数

VRRM(V)：
60
VR(V)：
60
IO(A)：
1
IFSM(A)：
30
VF(V) Max.：
0.7
IF(A)：
1
IR(μA) Max：
0.5
IR(μA)Max_VR(V)：
60

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	MDS1653RH	MAGANCHI	17+	SOP8	6200	100%原装正品现货	询价
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