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MDS1100	文件：104.53 Kbytes Page：4 Pages	1100 Watts, 50 Volts Pulsed Avionics at 1030 MHz GENERALDESCRIPTION TheMDS1100isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsat1030MHz,withthepulsewidthanddutyrequiredforMODE-Sapplications.Thedevicehasgoldthin-filmmetalizationandemitterballastingforprovenhighestMTTF.Thetransisto	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MDS1100	文件：121.67 Kbytes Page：4 Pages	a high power COMMON BASE bipolar transistor. GENERALDESCRIPTION TheMDS1100isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsat1030MHz,withthepulsewidthanddutyrequiredforMODE-Sapplications.Thedevicehasgoldthin-filmmetalizationandemitterballastingforprovenhighestMTTF.Thetransisto	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MDS1100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55TU-1；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ME1100	文件：3.50937 Mbytes Page：2 Pages	MOBILEEDGECOMPUTINGSERVER	KONTRON Kontron	KONTRON
MENB1100	文件：238.29 Kbytes Page：2 Pages	MedicalSwitch-ModePowerSupply	SLPOWER SL Power Electronics	SLPOWER
MFB-1100	文件：344.54 Kbytes Page：7 Pages	PassiveMMIC9-13GHzBandpassFilter	MARKIMICROWAVEMarki Microwave 马基马基微波	MARKIMICROWAVE
MF-R1100	文件：281.68 Kbytes Page：6 Pages	PTCResettableFuses	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
MF-R1100	文件：210.18 Kbytes Page：6 Pages	PTCResettableFuses	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
MF-R1100	文件：210.18 Kbytes Page：6 Pages	Almostanywherethereisalowvoltagepowersupplyandaloadtobeprotected,including	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
MF-R1100	文件：210.18 Kbytes Page：6 Pages	MF-RSeries-PTCResettableFuses Features ■RadialLeadedDevices ■Cured,flameretardantepoxypolymerinsulatingmaterialmeetsUL94V-0requirements ■RoHScompliantandhalogenfree* ■Agencyrecognition: AdditionalFeatures ■Bulkpackaging,tapeandreelandAmmo-Pakavailableonmostmodels Applications Almosta	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

产品属性

产品编号：
MDS1100
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
频率 - 跃迁：
1.03GHz
增益：
8.9dB
功率 - 最大值：
8750W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
55TU-1
供应商器件封装：
55TU-1
描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

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