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MDS1100

a high power COMMON BASE bipolar transistor.

GENERAL DESCRIPTION The MDS1100 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems at 1030 MHz, with the pulse width and duty required for MODE-S applications. The device has gold thin-film metalization and emitter ballasting for proven highest MTTF. The transisto

文件:121.67 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

MDS1100

1100 Watts, 50 Volts Pulsed Avionics at 1030 MHz

GENERAL DESCRIPTION The MDS1100 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems at 1030 MHz, with the pulse width and duty required for MODE-S applications. The device has gold thin-film metalization and emitter ballasting for proven highest MTTF. The transisto

文件:104.53 Kbytes 页数:4 Pages

ADPOW

MDS1100

Package:55TU-1;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

Microsemi

美高森美

ME1100

MOBILE EDGE COMPUTING SERVER

文件:3.50937 Mbytes 页数:2 Pages

KONTRON

MENB1100

Medical Switch-Mode Power Supply

文件:238.29 Kbytes 页数:2 Pages

SLPOWER

MFB-1100

Passive MMIC 9-13 GHz Bandpass Filter

文件:344.54 Kbytes 页数:7 Pages

MARKIMICROWAVE

产品属性

  • 产品编号:

    MDS1100

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    65V

  • 频率 - 跃迁:

    1.03GHz

  • 增益:

    8.9dB

  • 功率 - 最大值:

    8750W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    55TU-1

  • 供应商器件封装:

    55TU-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICROSEMI/美高森美
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更多MDS1100供应商 更新时间2025-10-4 13:26:00