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MDD4N20YRH	文件：351.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.35Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：351.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDD4N20Y	文件：810.9 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm) 文件：810.9 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
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MDD4N20YRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

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更多MDD4N20供应商更新时间2025-11-1 17:46:00