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MDD3N50GRH	文件：352.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 2.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.5Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：352.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDD3N50G	文件：1.033099 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5(ohm) 文件：1.033099 Mbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
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MDD3N50GRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	MDD3N50GRH	MAGNACHIP/美格纳	2022+	TO-252	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价

更多MDD3N50供应商更新时间2025-11-1 17:46:00