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MDD06N100RH	文件：352.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MDD06N100RH	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Ch MOSFET	MagnaChipMagnaChip Semiconductor. 美格纳	MagnaChip
MDD06N100RH	文件：958.41 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 60V, 50A, 10m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD06N100	文件：958.41 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET60V,50A,10m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD162-16N1	文件：0 bytes Page：0 Pages	艾赛斯 IXYS 全新原装质保一年	艾赛斯 IXYS 上传：苏州银邦电子科技有限公司	艾赛斯 IXYS

技术参数

Vds [V]：
60
Ids [A] 25°C：
50.0
Vgs(th) [Max V]：
3.2
Rds(on) [Ohm Max]Vgs=10V：
10.0
Qg[nC] at 10V：
32.2
Qgs [nC]：
12.5
Qgd [nC]：
5.0
Package：
DPAK
P Spice Model Info：

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鼎欣微电子有限公司	MDD06N100RH	MAGNACHIP/美格纳	21+	TO252	12000		询价
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更多MDD06N100RH供应商更新时间2025-8-3 9:02:00

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