Bridge Rectifiers, Single-Phase, MicroDIP, 1 A

Description With the ever pressing need to improve power supply efficiency and reliability, the MDBxS family is focused on offering a best in class small form factor combined with best inclass efficient rectifier performance. The “S” family offers industry leading balance of efficiency, size,

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安森美半导体

New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

1A、1000V MicroDIP封装，单相桥式整流器

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Package：4-SMD，鸥翼；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 桥式整流器 描述：BRIDGE RECT 1PH 1KV 1A 4MICRODIP

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1A, 100V MicroDIP, Single-Phase Bridge Rectifiers

1A, 100V MicroDIP, Single-Phase Bridge Rectifiers • Low Package Profile: 1.45 mm (max)\n• Requires Only 35 mm2 of Board Space\n• High Surge Current Capability: 30A (max)\n• Glass Passivated Junction Rectifiers\n• Smaller Plastic Body vs MDB10S\n• Green Compound\n• UL Certification : E352360;

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MDB10SV: 1.2 A, 1000 V, Micro-DIP, Single-Phase Bridge Rectifier

随着对供电效率和可靠性的不断需求，MDB10SV 设定了小型、高效、耐用的桥式整流器性能的新标准。该设计通过实现 25°C 时，最高 1.015 V 的 1.2 A VF以提高效率。较低的 VF 可以实现更低发热和更高效的供电。该设计通过一个额定 50 A IFSM 来吸收高浪涌电流、改进的额定 I2t 来增强稳定性，并支持 1000 V 的额定击穿电压。最后，MDB10SV 在一个小型的微型 DIP 封装中实现了所有功能，提供最多 1.6 mm 的高度并仅需 35 mm2 的板件空间。 优化的 VF： 1.2 A 时最大值 1.015 V\nIF(AV) = 1.2 A\nIFSM = 50 A\n兼容 MDB10SS 和 MDB10S 插座\n玻璃钝化结\n仅需 35 mm2 的电路板空间\n薄型封装： 典型值为 1.45 mm，最大值为 1.60 mm\n符合 RoHS 标准\n无卤素\nIR/对流回流焊 (J-STD-020) 和波峰焊 (JESD22-A111) 合格;

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Package：4-SMD，鸥翼；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 桥式整流器 描述：BRIDGE RECT GPP

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Package：4-SMD，鸥翼；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 桥式整流器 描述：BRIDGE RECT 1P 1KV 1.2A MICRODIP

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