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零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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MonolithicFlyback/SEPICDC-DCConverter | MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司 | MPS | ||
MonolithicFlyback/SEPICDC-DCConverter | MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司 | MPS | ||
MonolithicFlyback/ForwardDC-DCConverterEvaluationBoard | MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司 | MPS | ||
FUENTE1SALIDAVARIABLE0-30V/5A Descripción FuentedeAlimentaciónPrincipal:220V±10%,50/60Hz±2Hz;110/220V±10%seleccionable,50/60Hz±2Hz(clienteopcional). | AGELECTRONICA AG Electronica | AGELECTRONICA | ||
FUENTE1SALIDAVARIABLE0-30V/5A Descripción FuentedeAlimentaciónPrincipal:220V±10%,50/60Hz±2Hz;110/220V±10%seleccionable,50/60Hz±2Hz(clienteopcional). | AGELECTRONICA AG Electronica | AGELECTRONICA | ||
ExpandableFanlessEmbeddedComputer | AdlinkAdlink Technology Inc. 凌华科技凌华科技股份有限公司 | Adlink | ||
N-channelMOSFET600V,2A,4.4Ω Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±2.0 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | ||
LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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