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UPA1715G	文件：229.08 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1715G	文件：67.75 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mΩTYP.(VGS=–4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect

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DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mΩTYP.(VGS=–4.5

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