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MCU05N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
MCU05N60A	文件：454.92 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：454.92 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MCU05N60A	文件：339.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MCU05N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETS	MCC 美微科	MCC

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
600
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
4.5
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
2.5
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
670
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
30; Tj=100℃

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