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4822	文件：235.62 Kbytes Page：1 Pages	NYLONHEXSTANDOFF [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AO4822	文件：304.99 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-channelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822	文件：2.57955 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822	文件：1.04825 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4822	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822	文件：3.36305 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES RDS(ON)≤35m@VGS=10V RDS(ON)≤45m2@VGS=4.5V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4822A	文件：2.3476 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822A	文件：1.04822 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4822A	文件：116.63 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822ALisaGreenProductor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822A	文件：304.9 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-channelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822A-HF	文件：2.62496 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822AL	文件：116.63 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822ALisaGreenProductor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822-HF	文件：2.62409 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822L	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BQ4822Y	文件：104.08 Kbytes Page：16 Pages	RTCModuleWith8Kx8NVSRAM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BSO4822	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BU4822	文件：290.68 Kbytes Page：9 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICs	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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更多MCP4822-E/ST供应商更新时间2024-6-21 14:08:00

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