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MCP1403T-ESLASHSO	文件：760.71 Kbytes Page：22 Pages	4.5ADualHigh-SpeedPowerMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MDP1403	文件：120.56 Kbytes Page：5 Pages	ThickFilmResistorNetworks,Dual-In-Line,MoldedDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
ME1403D	文件：1.05714 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MGF1403B	文件：317.99 Kbytes Page：5 Pages	LOWNOISEGaAsFET?	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF1403B	文件：166.1 Kbytes Page：4 Pages	LOWNOISEGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF1403Bisalow-noiseGaAsFETwithanN-channelSchottkygate,whichisdesignedforuseinStoKubandamplifiersandoscillators.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageassuresminimumparasiticlosses,andhasaconfigurationsuitableformicrostripcircuits. FEATUR	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGFC1403	文件：232.12 Kbytes Page：6 Pages	FORMICROWAVELOW-NOISEAMPLIFIERS,N-CHANNELSCHOTTKYBARRIERGATETYPE FORMICROWAVELOW-NOISEAMPLIFIERS,N-CHANNELSCHOTTKYBARRIERGATETYPE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MMBD1403	文件：39.13 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode HighVoltageGeneralPurposeDiode SourcedfromProcess1H.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1403	文件：96.67 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES Case:SOT-23MoldedPlastic OperatingTemperature:-65°Cto150°C	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
MMBD1403	文件：57.47 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1403A	文件：63.02 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode Descriptions Sourcedfromprocess2V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多MCP1403-ESLASHP供应商更新时间2025-7-20 10:30:00

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