选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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MicrochipDFN-8 |
240 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)DFN-8-EP(5x6) |
949 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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MICROCHIP/微芯DFN8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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北京光敏源科技有限公司2年
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MICROCHIPDFN8 |
901 |
10+ |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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MICROCHIPDFN8 |
13222 |
19+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DFN8 |
68900 |
MICROCHIP |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)DFN-8-EP(5x6) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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MROCHIP/微芯NA/ |
4140 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Microchip8DFNS |
10000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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MICROCHIPDFN8 |
901 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP/微芯 |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrochipN/A |
808 |
1940+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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MicrochipNA |
1899 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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MICROCHIPDFN8 |
10000 |
23+ |
原装,可配单 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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MICROCHIPTECNA |
13650 |
23+ |
原装正品,假一罚百! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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MICROCHIPDFN8 |
25713 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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Microchip Technology8-DFN-S(6x5) |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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MICROCHIPDFN8 |
57550 |
2022+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)DFN-S-8 |
8230 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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MICROCHIPDFN8 |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
MCP1403-E/MF采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MCP1403-E/MF图片
MCP1403-E/MF价格
MCP1403-E/MF价格:¥11.2724品牌:Microchip
生产厂家品牌为Microchip的MCP1403-E/MF多少钱,想知道MCP1403-E/MF价格是多少?参考价:¥11.2724。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MCP1403-E/MF批发价格及采购报价,MCP1403-E/MF销售排行榜及行情走势,MCP1403-E/MF报价。
MCP1403-E/MF中文资料Alldatasheet PDF
更多MCP1403-E/MF功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
MCP1403-E/MF
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
4.5A,4.5A
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
15ns,18ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-DFN-S(6x5)
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN