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MCH6337	文件：60.89 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Ultrahigh-speed switching • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：60.89 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6337	文件：488.9 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：488.9 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6337	文件：544.2 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：544.2 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6337	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel Power MOSFET -20V, -4.5A, 49mΩ MCH6337 is a Power MOSFET, -20V, 49mΩ, -4.5A, Single P-Channel for general purpose switching applications. • Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• High Speed Switching \n• Reduces Dynamic Power Losses\n• Low Gate Drive Voltage\n• Drive at Low Voltage\n• ESD Diode - Protected Gate\n• ESD Resistance\n• RoHS Compliance\n• Environmental Consideration\n• Ultrasmall package MCPH6(2.1mm x 2.0mm x 0.85mmt;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6337_12	文件：488.9 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：488.9 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6337-TL-E	文件：544.2 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：544.2 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6337-TL-E	文件：544.2 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：544.2 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6337-TL-H	文件：544.2 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：544.2 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH6337-TL-H	文件：544.2 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：544.2 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
-4.5
PD Max (W)：
1.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
75
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
49
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
7.3
Ciss Typ (pF)：
670
Package Type：
SC-88FL/MCPH-6

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