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NSL-5120	文件：332.39 Kbytes Page：1 Pages	TO-18HermeticPhotocell	ADVANCEDPHOTONIX Advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
NTE5120A	文件：31.71 Kbytes Page：3 Pages	NTE5111AthruNTE5166AZenerDiode,5Watt5Tolerance Features: ●ZenerVoltage:3.3Vto200V ●HighSurgeCurrentCapability	NTE NTE Electronics	NTE
NTGS5120P	文件：112.3 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET??0V,??.9A,SingleP?묬hannel,TSOP??	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTGS5120P	文件：118.27 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVGS5120P	文件：72.13 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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PA5120.XXXHLT	文件：630.7 Kbytes Page：4 Pages	SMTPowerInductors	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
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PBSS5120T	文件：47.72 Kbytes Page：7 Pages	20V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. NPNcomplement:PBSS4120T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5120T	文件：324.94 Kbytes Page：8 Pages	20V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •CosteffectivealternativeforMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS •Powermanage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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