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|---|---|---|---|---|
MC33151VDR2G | 丝印：3151V；Package：SO-8；High Speed Dual MOSFET Drivers 文件：177.38 Kbytes 页数：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MC33151VDR2G | 丝印：3151V；Package：SO-8；High Speed Dual MOSFET Drivers 文件：252.5 Kbytes 页数：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MC33151VDR2G | Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
High Speed Dual MOSFET Drivers 文件：177.38 Kbytes 页数：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
High Speed Dual MOSFET Drivers The MC34151/MC33151 are dual inverting high speed drivers specifically designed for applications that require low current digital circuitry to drive large capacitive loads with high slew rates. These devices feature low input current making them CMOS and LSTTL logic compatible, input hysteresis fo 文件：284.39 Kbytes 页数：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
MC33151VDR2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
6.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
31ns，32ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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