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MC14071BDT	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features • Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDT	文件：134.49 Kbytes Page：12 Pages	B-SUFFIX SERIES CMOS GATES 文件：134.49 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDTG	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features • Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDTR2	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features • Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDTR2G	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features • Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDTG	文件：135.47 Kbytes Page：11 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates 文件：135.47 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDTR2	文件：134.49 Kbytes Page：12 Pages	B-SUFFIX SERIES CMOS GATES 文件：134.49 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDTR2G	文件：135.47 Kbytes Page：11 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates 文件：135.47 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14071BDTR2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MC14071BDT
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
4000B
包装：
管件
逻辑类型：
或门
输入数：
2
电压 - 供电：
3V ~ 18V
电流 - 输出高、低：
8.8mA，8.8mA
逻辑电平 - 低：
1.5V ~ 4V
逻辑电平 - 高：
3.5V ~ 11V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
100ns @ 15V，50pF
工作温度：
-55°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
14-TSSOP
封装/外壳：
14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
描述：
IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP

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