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MC14049UB	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	Hex Buffers The MC14049UB hex inverter/buffer is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. This complementary MOS device finds primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. This device provides logic−level conversio 文件：205.47 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UB	文件：201.15 Kbytes Page：7 Pages	Hex Buffers The MC14049UB hex inverter/buffer is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. This complementary MOS device finds primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. This device provides logic−level conve 文件：201.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UB	文件：113.31 Kbytes Page：8 Pages	W Semiconductor Components Industries, LLC, 2004 文件：113.31 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UB	文件：107 Kbytes Page：7 Pages	Hex Buffers 文件：107 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UB	文件：155.8 Kbytes Page：8 Pages	Hex Buffers 文件：155.8 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UB	文件：106.84 Kbytes Page：7 Pages	Hex Buffers 文件：106.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UB_V01	文件：201.15 Kbytes Page：7 Pages	Hex Buffers The MC14049UB hex inverter/buffer is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. This complementary MOS device finds primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. This device provides logic−level conve 文件：201.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UBCP	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	Hex Buffers The MC14049UB hex inverter/buffer is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. This complementary MOS device finds primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. This device provides logic−level conversio 文件：205.47 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UBD	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	Hex Buffers The MC14049UB hex inverter/buffer is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. This complementary MOS device finds primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. This device provides logic−level conversio 文件：205.47 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14049UBDG	文件：201.15 Kbytes Page：7 Pages	Hex Buffers The MC14049UB hex inverter/buffer is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. This complementary MOS device finds primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. This device provides logic−level conve 文件：201.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channels：
6
Output：
CMOS
VCC Min (V)：
3
VCC Max (V)：
18
tpd Max (ns)：
65
IO Max (mA)：
16
Package Type：
SOIC-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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