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MC10H100PG	文件：144.65 Kbytes Page：5 Pages	Quad 2?묲nput NOR Gate With Strobe 文件：144.65 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC10H100PG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE NOR 4CH 2-INP 16DIP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MF10H100	文件：103.62 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Schottky Rectifier FEATURES • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Low power loss, high efficiency • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for D2PAK (TO-263AB) pa 文件：103.62 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MF10H100CT	文件：103.77 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier 文件：103.77 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MF10H100CT	文件：104.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier FEATURES • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Low power loss, high efficiency • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for D2PAK (TO-263AB) pa 文件：104.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
MC10H100PG
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
10H
包装：
管件
逻辑类型：
或非门
输入数：
2
特性：
选通脉冲
电压 - 供电：
-4.94V ~ -5.46V
电流 - 输出高、低：
50mA，50mA
逻辑电平 - 低：
-1.48V
逻辑电平 - 高：
-1.13V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
1.7ns @ -5.2V，-
工作温度：
0°C ~ 75°C
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
16-PDIP
封装/外壳：
16-DIP（0.300"，7.62mm）
描述：
IC GATE NOR 4CH 2-INP 16DIP

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