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MC10111P	文件：162.46 Kbytes Page：5 Pages	Dual 3?묲nput/3?뭀uput NOR Gate TheMC10111isdesignedtodriveuptothreetransmissionlinessimul−taneously.Themultipleoutputsofthisdevicealsoallowthewire“OR”−ingofseverallevelsofgatingforminimizationofgateandpackagecount. TheabilitytocontrolthreeparallellinesfromasinglepointmakestheMC10	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PL10111	文件：902.04 Kbytes Page：4 Pages	SMTPOWERINDUCTORS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
PTF10111	文件：337.74 Kbytes Page：6 Pages	6Watts,1.5GHzGOLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTF10111isa6wattLDMOSFETintendedforlargesignalamplifierapplicationsto1.5GHz.Itoperates@50efficiencyand16dBofgain.Nitridesurfacepassivationandfullgoldmetallizationensureexcellentdevicelifetimeandreliability. •Performanceat1.5GHz,28Volts	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
S10111	文件：188.93 Kbytes Page：11 Pages	Current-outputtypesensorswithvariableintegrationtimefunction Current-outputtypesensorswithvariableintegrationtimefunction TheS10111toS10114seriesareself-scanningphotodiodearraysdesignedspeci¿callyasdetectorsforspectroscopy.Thescanningcircuitoperatesatlowpowerconsumptionandiseasytohandle.Eachphotodiodehasalargeact	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SA10111	文件：570.66 Kbytes Page：1 Pages	SAseries,high-precision,Pt-filmthermalsensors.	HUMIREL Humirel	HUMIREL
SKU10111	文件：359.39 Kbytes Page：3 Pages	ADAPTADORDEENCAPSULADOQFN48,MLF48,MLP48ADIP48PINES Descripción AdaptadorPlastronics,paraencapsuladosQFN48,MLF48,MLP48.	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
SVT10111ND	文件：317.03 Kbytes Page：8 Pages	14A,100VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVT10111NDisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilan'sLVMOStechnology. Theimprovedprocessandcellstructurehavebeenespecially tailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performanceandwithsta	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVT10111NDTR	文件：317.03 Kbytes Page：8 Pages	14A,100VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVT10111NDisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilan'sLVMOStechnology. Theimprovedprocessandcellstructurehavebeenespecially tailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performanceandwithsta	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

详细参数

型号：
MC10111P
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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