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MBRF16H35	文件：145.81 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Rectifier High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance FEATURES • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Low power loss, high efficiency • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • High frequency ope 文件：145.81 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRF16H35	文件：72.18 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Schottky Barrier Rectifier High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance FEATURES • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Low power loss, high efficiency • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • High frequency ope 文件：72.18 Kbytes 页数：3 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRF16H35	文件：1.9269 Mbytes Page：3 Pages	Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-0 Features • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-0 • Metal silicon junction, majority carrier conduction • Low forward voltage drop, low power loss and high efficiency • Guardring for overvoltage protection • For use in low voltage, high frequency invert 文件：1.9269 Mbytes 页数：3 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBRF16H35	文件：110.04 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：110.04 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
MBRF16H35	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Rectifiers	EIC 灿阳	EIC
MBRF16H35-E3/45	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE SCHOTTKY ITO-220AC	Vishay 威世	Vishay
MBRF16H35HE3/45	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC	Vishay 威世	Vishay
MBRF16H35-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY ITO-220AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MBRF16H35HE3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 全封装，隔离接片；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

技术参数

IF(AV)@TL(℃)：
130Tc
VRRM(V)：
35
IFSM(A)：
150
VF@IF(V)：
0.66
VF@IF(A)：
16
IR(mA)：
0.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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