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MBRD1035	文件：300 bytes Page：1 Pages	10A,35V,Schottky Barrier Rectifiers;	GalaxyGalaxy Power, Inc. 银河微	Galaxy
MBRD1035CTL	文件：158.19 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE??Schottky Rectifier D2PAK Power Surface Mount Package SWITCHMODESchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvol	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRD1035CTL	文件：63.87 Kbytes Page：3 Pages	10A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionfor TransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •VeryLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,OR’ing,andPolarityProtection Applications •PlasticMaterial:ULFlamma	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBRD1035CTL	文件：104.04 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTL	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTL_V01	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTLG	文件：120.16 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTLG	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTL-T	文件：63.87 Kbytes Page：3 Pages	10A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionfor TransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •VeryLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,OR’ing,andPolarityProtection Applications •PlasticMaterial:ULFlamma	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBRD1035CTLT4	文件：104.04 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM(V)max.：
35
IF(A)max.：
10
VF (V)max：
0.7
IFSM(A)max.：
150
IR(uA)max.：
100
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
功率肖特基二极管

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