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PST3560NR	文件：155.25 Kbytes Page：20 Pages	ICforCMOSSystemReset	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3560UR	文件：155.25 Kbytes Page：20 Pages	ICforCMOSSystemReset	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
R3560	文件：242.61 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiodes	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R3560	文件：119.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●LowForwardVoltage ●GlasstoMetalConstruction ●GlassPassivatedDie ●ExcellentReliability ●VRRMto1600V ●1050AmpsSurgeRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
R3560PF	文件：172.74 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
RU3560L	文件：329.92 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
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S3560	文件：136.59 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●LowForwardVoltage ●GlasstoMetalSealConstruction ●GlassPassivatedDie ●VRRMto1600V ●1050AmpsSurgeRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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产品属性

产品编号：
MBR3560R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
肖特基，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-4
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY REV 60V DO4

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