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MBR3045PT	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	30ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplications ●L	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR3045PT	文件：312.14 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBR3045PT	文件：125.04 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR3045PT	文件：92.72 Kbytes Page：4 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.,10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR3045PT	文件：50.45 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltCURRENT30Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability •Guardringforovervoltageprotection •Forusein	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR3045PT	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER ReverseVoltage-35to60VoltsForwardCurrent-30.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 ♦Dualrectifierconstruction,positivecenter-tap ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,high	GE GE Industrial Company	GE
MBR3045PT	文件：321.75 Kbytes Page：2 Pages	30.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR3045PT	文件：64.2 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal. Features •DualDiodeConstruction;Terminals1and3maybeConnectedforParallelOperationatFullRating •Guard−ringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3045PT	文件：133.87 Kbytes Page：2 Pages	30.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR3045PT	文件：239.89 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:30A Features ✧Highsurgecapacity. ✧Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ✧Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ✧Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ✧Gu	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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技术参数

Package Type：
ITO-220AB
Marking Code：
MBR3045FCTS
IF：
30
VRWM：
45
VF：
0.65
IR：
200
Status：
Active

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