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MBR16	文件：90.64 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR160	文件：84.6 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Rectifier, 1 A DESCRIPTION TheVS-MBR...axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axiallea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR160	文件：135.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR160	文件：120.58 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DESCRIPTION TheUTCMBR160isa1.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR160issuitableforfreewheelingandpol	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR160	文件：203.21 Kbytes Page：3 Pages	1A SCHOTTKY RECTIFIER 1ASCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR160	文件：95.5 Kbytes Page：4 Pages	Axial Lead Rectifiers AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow–voltage,high–frequencyinvert	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBR160	文件：144.06 Kbytes Page：2 Pages	Low Reverse Current Features •LowReverseCurrent •LowStoredCharge.MajorityCarrierConduction •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighlyStableOxidePassivatedJunction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR160	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	Axial Lead Rectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR160	文件：60.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT1.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR160	文件：109.14 Kbytes Page：2 Pages	1.0A Axial Leaded Schottky Barrier Rectifier Diodes Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
MBR16
功能描述：
肖特基二极管与整流器 1A 60V
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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