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MBR12035	文件：412.74 Kbytes Page：3 Pages	120 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
MBR12035	文件：121 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR12035	文件：117.5 Kbytes Page：2 Pages	120 Amp Schottky Rectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MBR12035	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 Amp Schottky Rectifier	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司
MBR12035CT	文件：133.05 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR12035CT	文件：136.36 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Schottky Diode, 120A Features •GuardRingProtection •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •Upto100VVRRM	NAINA Naina Semiconductor ltd.
MBR12035CT	文件：465.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom20Vto40VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MBR12035CTR	文件：133.05 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR12035CTR	文件：465.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom20Vto40VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MBR12035R	文件：121 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

技术参数

Io@Tj(A)：
120
IFSM(A)：
800
IR@Tj(mA)：
20
Designation：
Twin-Tower
Type：
Module
Compliance：
' ''>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR12035供应商更新时间2025-8-2 14:13:00

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