60V/2A, 共阳极降压型LED驱动芯片

MBI6662为高效率恒流降压型DC/DC转换器驱动芯片，其适用于驱动高功率LED，并采用磁滞宽带可调之定频控制技术及提供共阳极连接方案。\nMBI6662输出电流可透过外部电阻进行设定，且可在DIM脚连接脉宽调变(PWM)讯号进行调光控制。另外，启动过流保护装置(Start-Up)功能可限制芯片因电源启动时所产生的突波电流，同时MBI6662 还提供欠电压锁定保护(UVLO)、过温保护(OTP)及过电流保护功能(OCP)，以避免芯片在不正常运作的情况下损毁。.\n为确保系统稳定性，MBI6662还提供过热断电保护功能(TSD)，在过热的条件下，藉由关断内建MOSFET，以达到保护芯片的目的。 ·01 Max. Sustaining Voltage ：75V \n·02 Constant Output Current Per Channel ：2A(max.)\n·03 Topology ：共阳极降压型 \n·04 Supply Voltage ：5~60V \n·05 Switch ON Resistance(Typ.) ：0.2 ohm \n·06 Settable output current ：YES\n·07 Dimming Method ：Digital\n·08 External Components Required ：5 \n·09 Thermal Protecti;

Macroblock

聚积科技

Dual N-Channel Power MOSFET

Features • ON-Resistance Nch : RDS(on)1=120mΩ (typ) • 1.8V Drive • ESD Diode - Protected Gate • Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance

文件：432.35 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance Nch : RDS(on)1=120mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

文件：386.2 Kbytes 页数：4 Pages

SANYO

三洋

Dual N-Channel Power MOSFET

Features • ON-Resistance Nch : RDS(on)1=120mΩ (typ) • 1.8V Drive • ESD Diode - Protected Gate • Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance

文件：432.35 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体