60V，1安培，降压式LED驱动芯片

MBI6661为高效率、恒电流、降压型直流对直流转换器，仅须透过5个外接组件即可为大电流的LED照明提供稳定之电流。MBI6661的Hysteretic PFM模式操作无需额外补偿器设计，使用更方便，其输出电流可透过不同阻值的外接电阻来调整各输出级的电流大小，且在DIM脚连接脉宽调变(PWM)讯号进行调光控制。此外，内置的启动过电流保护可限制电源打开时所产生的突波电流。MBI6661的特色除高精准性恒流控制外，还包括一系列保护IC装置，包括欠压锁定保护(UVLO)、过热保护机制、LED开路与短路保护。为了确保系统安全性，MBI6661提供输出过电流保护设计(OCP)避免因意外所造成过大电流损毁 ·01 Max. Sustaining Voltage ：75V \n·02 Constant Output Current Per Channel ：1A(max.)\n·03 Topology ：Buck/Hysetersis PFM\n·04 Supply Voltage ：9~60V \n·05 Switch ON Resistance(Typ.) ：0.35 ohm \n·06 Power Efficiency ：输入电压48伏特、输出电流350mA、串12颗LED时，效率可达97% \n·07 Settable output current ：YES\n·08 Dimmin;

Macroblock

聚积科技

N-Channel Power MOSFET

文件：700.04 Kbytes 页数：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET

文件：700.04 Kbytes 页数：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS

文件：441.47 Kbytes 页数：3 Pages

Motorola

摩托罗拉