MBD110DW中文资料肖特基二极管，双，绝缘，7 V数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MBD110DW |
| 参数属性 | MBD110DW 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88 |
| 功能描述 | 肖特基二极管，双，绝缘，7 V |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-14 16:26:00 |
| 人工找货 | MBD110DW价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MBD110DW规格书详情
描述 Description
应用电路设计趋向于整合器件数目，并采用更小封装。该肖特基二极管方案将两个分立器件放在一个小型六引线封装内，简化了电路设计，减少了器件数目，缩小了板空间。该肖特基二极管适合板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用，如便携式产品。
特性 Features
• Pb-Free Packages are Available
简介
MBD110DW属于分立半导体产品的二极管-射频。由ONSEMI制造生产的MBD110DW二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号：
MBD110DWT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基 - 2 个独立式
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363
- 描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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