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MB85RC256TY	文件：2.62886 Mbytes Page：39 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256TY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256TY is able to retain dat 文件：2.62886 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256TYPNF-GS-BCE1	文件：2.62886 Mbytes Page：39 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256TY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256TY is able to retain dat 文件：2.62886 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256TYPNF-GS-BCERE1	文件：2.62886 Mbytes Page：39 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256TY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256TY is able to retain dat 文件：2.62886 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256TYPN-GS-AWE1	文件：2.62886 Mbytes Page：39 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256TY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256TY is able to retain dat 文件：2.62886 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256TYPN-GS-AWEWE1	文件：2.62886 Mbytes Page：39 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256TY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256TY is able to retain dat 文件：2.62886 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256TY(AEC-Q100)	文件：300 bytes Page：1 Pages	FeRAM (单元)	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85RC256TY(for General Use)	文件：300 bytes Page：1 Pages	FeRAM (单元)	Fujitsu 富士通	Fujitsu

技术参数

输入电压：
1.8 to 3.6V
工作频率 (MAX)：
3.4MHz
工作温度：
-40 to +125℃
读写耐久性 (读写次数)：
10万亿次
封装类别：
SOP-8
供货状态：
ES提供中

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MB85RC256TY供应商更新时间2025-10-30 11:01:00

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