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MB85RC256LY	文件：2.59652 Mbytes Page：37 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256LY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256LY is able to retain dat 文件：2.59652 Mbytes 页数：37 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256LYPNF-GS-BCE1	文件：2.59652 Mbytes Page：37 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256LY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256LY is able to retain dat 文件：2.59652 Mbytes 页数：37 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256LYPNF-GS-BCERE1	文件：2.59652 Mbytes Page：37 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256LY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256LY is able to retain dat 文件：2.59652 Mbytes 页数：37 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC256LYPN-GS-AWE1	文件：2.59652 Mbytes Page：37 Pages	256K (32 K x 8) Bit I2C DESCRIPTION The MB85RC256LY is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC256LY is able to retain dat 文件：2.59652 Mbytes 页数：37 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
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MB85RC256LY	文件：300 bytes Page：1 Pages	FeRAM Product List	Fujitsu 富士通	Fujitsu

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