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MB85RC128	文件：142.28 Kbytes Page：20 Pages	Memory FRAM 128 K (16 K x 8) Bit I2C 文件：142.28 Kbytes 页数：20 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
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MB85RC128A	文件：2.29883 Mbytes Page：29 Pages	128 K (16 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC128A is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC128A is able to retain dat 文件：2.29883 Mbytes 页数：29 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC128APNF-G-AME2	文件：2.29883 Mbytes Page：29 Pages	128 K (16 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC128A is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC128A is able to retain dat 文件：2.29883 Mbytes 页数：29 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC128APNF-G-AMERE2	文件：2.29883 Mbytes Page：29 Pages	128 K (16 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC128A is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC128A is able to retain dat 文件：2.29883 Mbytes 页数：29 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC128APNF-G-JNE1	文件：2.29883 Mbytes Page：29 Pages	128 K (16 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC128A is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC128A is able to retain dat 文件：2.29883 Mbytes 页数：29 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC128APNF-G-JNERE1	文件：2.29883 Mbytes Page：29 Pages	128 K (16 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC128A is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC128A is able to retain dat 文件：2.29883 Mbytes 页数：29 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC128A	文件：474.41 Kbytes Page：32 Pages	128 K (16 K 횞 8) ?볝긿?뉹2C 文件：474.41 Kbytes 页数：32 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
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技术参数

输入电压：
2.7 to 3.6V
工作频率 (MAX)：
1MHz
工作温度：
-40 to +85℃
读写耐久性 (读写次数)：
1万亿次
封装类别：
SOP-8
供货状态：
量产中
仿真模型_Verilog：
可用
仿真模型_IBIS：
可用

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MB85RC128	FUJITSU/富士通	23+	SOP-8	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	MB85RC128APNF-G-JNERE1	FujitsuSemiconductorAmer	23+	8-SOP	9550	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MB85RC128PNF-G-JNERE	原厂	23+	SOP8	20000	原装正品,假一罚十	询价
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更多MB85RC128供应商更新时间2025-11-18 11:10:00

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