旋转开关

C&K

高铭

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 5.3 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

文件：130.15 Kbytes 页数：7 Pages

RENESAS

瑞萨

MBF

TOSHIBA/东芝

上传：美源芯科（深圳）电子科技有限公司

SMD

STS

上传：深圳市昌和盛利电子有限公司

MBF

SEP

长虹电子

上传：深圳市正沃电子有限公司