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SFR9220TM	文件：853.43 Kbytes Page：6 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-200V,ID=-3.6A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
SFRSLASHU9220	文件：259.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowerRDS(ON):1.111Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFRU9220	文件：259.88 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFRU9220	文件：259.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowerRDS(ON):1.111Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFRU9220	文件：257.459 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHFD9220	文件：1.56402 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR9220	文件：785.7 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9220,SiHFR9220) •Straightlead(IRFUFU9220,SiHFU9220) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR9220	文件：4.5583 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9220	文件：4.55832 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9220	文件：2.04248 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
MAX9220EUM-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 串行器，解串器
包装：
管件
功能：
解串器
数据速率：
1.785Gbps
输入类型：
LVDS
输出类型：
LVCMOS，LVTTL
输入数：
3
输出数：
21
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSSOP
描述：
IC COMPARATOR SGL LOW PWR TSSOP

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