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MRF857S	文件：174.2 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. •SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF857S	文件：102.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconRFPowerTransistor TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. •SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR857	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR857	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MX857	文件：189.14 Kbytes Page：7 Pages	SingleDriverforGaAsFETSwitchesandAttenuators	Clare Clare, Inc.	Clare
MZ857	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE857	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
NTE857M	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
NTE857SM	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
OPA857	文件：1.90876 Mbytes Page：29 Pages	Ultralow-Noise,Wideband,SelectableFeedbackResistanceTransimpedanceAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
MAX857CUA
功能描述：
直流/直流开关转换器
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
最大输入电压：
4.5 V
开关频率：
1.5 MHz
输出电压：
4.6 V
输出电流：
250 mA
输出端数量：
2
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT

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