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MAX7319ATE+	文件：251.6 Kbytes Page：16 Pages	I2C Port Expander with Eight Inputs and Maskable Transition Detection	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX7319ATE+	文件：937.16 Kbytes Page：15 Pages	I2C Port Expander with Eight Inputs and Maskable Transition Detection	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX7319ATE+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：16-WFQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC） I/O 扩展器描述：IC I/O EXPANDER I2C 8B 16TQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX7319ATE+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：16-WFQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC） I/O 扩展器描述：IC I/O EXPANDER I2C 8B 16TQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
7319	文件：183.71 Kbytes Page：1 Pages	LOCKWASHERTERMINALLUG	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
AUIRF7319Q	文件：261.91 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF7319Q	文件：371.21 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF7319QTR	文件：371.21 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF7319QTR	文件：261.91 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
C7319	文件：25.88 Kbytes Page：2 Pages	PREAMPLIFIERUNIT TheC7319whichfurnishescurrent-to-voltageconversioncircuitisdesignedforusewithcurrentsourceslikephotomultipliertubes.TheC7319hasthreeswitchableconversionratios;105,106and107voltsperampereandalsohastwoswitchablebandwidthselections.Theperformancesareconvenient	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
FAN7319	文件：1.9729 Mbytes Page：23 Pages	LCDBacklightInverterDriveIC Description TheFAN7319isaLCDbacklightinverterdriveICthatcontrolsN-Npush-pulltopologyorN-Nfull-bridgetopologyusingaproprietaryphase-shiftmethod. TheFAN7319providesalow-costsolutionandreducesexternalcomponentsbyintegratingfull-waverectifiersforopen-lampprotect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FAN7319M	文件：1.9729 Mbytes Page：23 Pages	LCDBacklightInverterDriveIC Description TheFAN7319isaLCDbacklightinverterdriveICthatcontrolsN-Npush-pulltopologyorN-Nfull-bridgetopologyusingaproprietaryphase-shiftmethod. TheFAN7319providesalow-costsolutionandreducesexternalcomponentsbyintegratingfull-waverectifiersforopen-lampprotect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FAN7319MX	文件：1.9729 Mbytes Page：23 Pages	LCDBacklightInverterDriveIC Description TheFAN7319isaLCDbacklightinverterdriveICthatcontrolsN-Npush-pulltopologyorN-Nfull-bridgetopologyusingaproprietaryphase-shiftmethod. TheFAN7319providesalow-costsolutionandreducesexternalcomponentsbyintegratingfull-waverectifiersforopen-lampprotect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF7319	文件：430.91 Kbytes Page：10 Pages	DualNPChannelMOSFET Features N-Ch: eVos(v)=30V ®Rosony)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRF7319	文件：137.16 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7319PBF	文件：229.8 Kbytes Page：10 Pages	GENERATIONVTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7319PBF	文件：224.22 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7319TR	文件：430.91 Kbytes Page：10 Pages	DualNPChannelMOSFET Features N-Ch: eVos(v)=30V ®Rosony)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRF7319TRPBF	文件：1.44745 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7319TRPBF	文件：229.8 Kbytes Page：10 Pages	GenarafionVTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
MAX7319ATE+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > I/O 扩展器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
I/O 数：
8（仅输入）
接口：
I²C
中断输出：
是
特性：
POR
电流 - 灌/拉输出：
25mA
电压 - 供电：
1.71V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-TQFN（3x3）
描述：
IC I/O EXPANDER I2C 8B 16TQFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MAX7319ATE+	Maxim(美信)	23+	标准封装	37048	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MAX7319ATE+	Analog Devices Inc./Maxim Inte	24+	16-WFQFN 裸露焊盘	25000	in stock接口IC-原装正品	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	MAX7319ATE+	MAXIM	13+	QFN	3738	原装分销	询价
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