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MAX6618AUBT	文件：159.22 Kbytes Page：18 Pages	PECI-to-I2C Translator	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
A6618	文件：552.24 Kbytes Page：9 Pages	CMOSLOWDROPOUTREGULATOR(LDO)600mAADJUSTABLE,ULTRA-LOWNOISE,ULTRA-FAST DESCRIPTION A6618 seriesisagroupofpositivevoltageoutput, lowpowerconsumption,lowdropoutvoltage regulator. A6618 canprovideoutputvalueadjustablefrom0.8V to5.0V. A6618 includeshighaccuracyvoltagereference, erroramplifier,currentlimitcircuitandoutputdriver mod	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AP6618GM-HF	文件：100.58 Kbytes Page：4 Pages	LowOn-resistance,FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AWU6618	文件：872.94 Kbytes Page：10 Pages	HELP3EDual-bandIMT&EGSMWCDMA3.4VLinearPowerAmplifierModule	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS
CGA-6618	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMD RF Micro Devices	RFMD
CGA-6618	文件：323.83 Kbytes Page：5 Pages	DUALCATVBROADBANDHIGHLINEARITYGAASHBTAMPLIFIER ProductDescription StanfordMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesl	STANFORDStanford Microdevices Stanford Microdevices	STANFORD
CGA-6618	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
CGA-6618Z	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
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GSC6618	文件：275.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM6618A	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6618B	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IRF6618	文件：234.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6618combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618	文件：230.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheIRF6609combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618PBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰PowerMOSFET짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618PBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618TRPBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618TRPBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰PowerMOSFET짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
LMH6618	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise짰130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6618	文件：1.12851 Mbytes Page：26 Pages	130MHz,1.25mARail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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