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MAX5866ETM

Ultra-Low-Power, High-Dynamic- Performance, 60Msps Analog Front End

文件:737.92 Kbytes 页数:26 Pages

Maxim

美信

MAX5866ETM+

Package:48-WFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 模拟前端(AFE) 描述:IC AFE 4 CHAN 10BIT 48TQFN

AD

亚德诺

MAX5866ETM+T

Package:48-WFQFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 模拟前端(AFE) 描述:IC AFE 4 CHAN 10BIT 48TQFN

AD

亚德诺

PJQ5866A

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

文件:466.5 Kbytes 页数:7 Pages

PANJIT

強茂

PJQ5866A-AU

60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

文件:477.45 Kbytes 页数:7 Pages

PANJIT

強茂

QBH-5866

RF AMPLIFIER MODEL

文件:48.16 Kbytes 页数:1 Pages

APITECH

详细参数

  • 型号:

    MAX5866ETM

  • 功能描述:

    ADC/DAC多通道

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 分辨率:

    8 bit

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    VQFN-40

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更多MAX5866ETM供应商 更新时间2025-10-6 9:03:00