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MMBT5401	文件：83.61 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSILICON HighVoltageTransistorPNPSilicon	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT5401	文件：171.61 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT5401	文件：47.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNType-MMBT5551 •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT5401	文件：67.39 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5401	文件：106.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistorsSi-Epi-PlanarUniversaltransistorenfurdieOberflahenmontage Powerdissipation–Verlustleistung250mW PlasticcaseSOT-23 Weightapprox.–Gewichtca.0.01g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT5401	文件：183.52 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT5551). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5401	文件：275.04 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMBT5401	文件：169.56 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5551 ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
MMBT5401	文件：378.97 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5551 ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBT5401	文件：68.87 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C •Capableof0.3WattsofPowerDissipation •Marking:2L •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
MAX5401EKA+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 数字电位计
系列：
SOT-PoT™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
圆锥：
线性
配置：
电位计
抽头数：
256
电阻 (欧姆)：
100k
接口：
SPI
存储器类型：
易失
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
容差：
±25%
温度系数（典型值）：
50ppm/°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-23-8
封装/外壳：
SOT-23-8
工作温度：
-40°C ~ 85°C
电阻 - 触点 (欧姆)（典型值）：
250
描述：
IC DGTL POT 100KOHM 256TAP SOT23

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