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MDD1951RH	文件：988.39 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MDD1951RH	文件：929.24 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,17.9A,45.0m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDS1951	文件：813.35 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,6A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDS1951URH	文件：813.35 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,6A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDV1951B	文件：1.11876 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET60V,12A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDV1951BURH	文件：1.11876 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET60V,12A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MGF1951A	文件：28.87 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerMicrowaveMESFET DESCRIPTION TheMGF1951Aisa20mWMESFETforS-toKu-banddriveramplifiersandoscillators. Itslead-lessceramicpackageassuresminimumparasitics. FEATURES •HighGainandHighOutputPowerGLP=9dB,P1dB=13dBm(typ)@f=12GHz •LeadlessCeramicPackage APPLICATION S-	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF1951A	文件：145.22 Kbytes Page：5 Pages	MicrowavePowerMESFET	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
NTE1951	文件：20.6 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitPositive3TerminalVoltageRegulator,LowDropoutVoltage,5V,1A Description: TheNTE1951positivevoltageregulatorfeaturestheabilitytosource1Aofoutputcurrentwithadropoutvoltageoftypically0.5Vandamaximumof1Vovertheentiretemperaturerange.Furthermore,aquiescentcurrentreductioncircuithasbeenincludedwhichreducesthegroundc	NTE NTE Electronics	NTE
RL-1951	文件：1.15563 Mbytes Page：2 Pages	NATIONALSEMICONDUCTORSIMPLESWITCHERAPPLICATIONS	RENCO RENCO ELECTRONICS	RENCO

详细参数

型号：
MAX1951A
功能描述：
直流/直流开关调节器 1MHz 2A 2.6-5.5V PWM DC/DC Step-Down
RoHS：
否
制造商：
International Rectifier
最大输入电压：
21 V
开关频率：
1.5 MHz
输出电压：
0.5 V to 0.86 V
输出电流：
4 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN 4 x 5

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