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UPA1758G	文件：225.6 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •DualMOSFETchipsinsmallpackage •2.5Vgatedrivetypelowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩ(MAX.)(VGS=4.5V,ID=3.0A) RDS(on)2=40mΩ(MAX.)(VGS=2.5V,ID=3.0A) •LowCiss:Ciss=1100pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpac	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1758G	文件：58.39 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisDualN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationofnotebookcomputers,andLi-ionbatteryapplication. FEATURES •DualMOSFETchipsinsmallpackage •2.5Vgatedrivetypelowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩ(MAX.)(V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •DualMOSFETchipsinsmallpackage •2.5Vgatedrivetypelowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩ(MAX.)(VGS=4.5V,ID=3.0A) RDS(on)2=40mΩ(MAX.)(VGS=2.5V,ID=3.0A) •LowCiss:Ciss=1100pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpac

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

UPA1758G

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisDualN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationofnotebookcomputers,andLi-ionbatteryapplication. FEATURES •DualMOSFETchipsinsmallpackage •2.5Vgatedrivetypelowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩ(MAX.)(V

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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详细参数

型号：
MAX1758EVKIT
功能描述：
电池管理 Evaluation Kit for the MAX1757 MAX1758
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
电池类型：
Li-Ion
输出电压：
5 V
输出电流：
4.5 A
工作电源电压：
3.9 V to 17 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
VQFN-24
封装：
Reel

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