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MBR160	文件：120.58 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DESCRIPTION TheUTCMBR160isa1.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR160issuitableforfreewheelingandpol	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR160	文件：144.06 Kbytes Page：2 Pages	LowReverseCurrent Features •LowReverseCurrent •LowStoredCharge.MajorityCarrierConduction •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighlyStableOxidePassivatedJunction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR160E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200Eisavailablein SOD-323HEPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling, andpolarityprotection appl	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR160F	文件：352.424 Kbytes Page：2 Pages	1.0A60VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MBR160F	文件：608.17 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Schottkybarrierchip guardringdieconstructionfortransientprotection Lowforwardloss,highefficiency Highsurgecapability Highcurrentcapabilityandlowforwardvoltagedrop Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplication P	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
MBR160F	文件：693.88 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highforwardsurgecurrentcapability ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBR160F	文件：435.52 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20TO200VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION Th eMBR120FMBR1200Fareavailablein SOD123FLpackage FEATURES ⚫Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction ⚫Forsurfacemountedapplications ⚫Lowpowerloss,highefficiency ⚫Highforwardsurgecurrentcapability ⚫Foruseinlowvoltage,highfre	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR160G	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR160G-SMA-R	文件：120.58 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DESCRIPTION TheUTCMBR160isa1.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR160issuitableforfreewheelingandpol	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR160HW	文件：179.29 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE Features LowTurn-onVoltage FastSwitching PNJunctionGuardRingTransientandESDProtection DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial—ULRecognitionFlammability Classification94V-O GreenProductsinCompliancewiththeROHSDirective ThisisaPb−FreeDevice AllSMC	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

详细参数

型号：
MAX160CWN-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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