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MGS13002D	文件：111.23 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzenerdiodes.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies.Thisdeviceisideallysuitedforhighfrequencye	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGS13002D	文件：138.69 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzenerdiodes.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies.Thisdeviceisideallysuitedforhighfrequencyele	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGS13002DD	文件：111.23 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzenerdiodes.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies.Thisdeviceisideallysuitedforhighfrequencye	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MJE13002	文件：304.4 Kbytes Page：9 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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