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MJD117	文件：275.25 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoMJD112	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD117	文件：286.91 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Built-inadamperdiodeatE-C •Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) •Straightlead(IPAK,“－I”suffix) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：153.95 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：793.68 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features HighDCcurrentgain,built-inadamperdiodeatE-C,electricallysimilartopopularTIP117. Applications Mediumpowerswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJD117	文件：90.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposePowerandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD117	文件：385.79 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：300.27 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：281.3 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117G	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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