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MBU117	文件：138.22 Kbytes Page：4 Pages	MBU100SERIES1WATTULTRAMINIATUREHIGHSIPDC/DCCONVERTERS PRODUCTOVERVIEW TheMBU100seriesisarangeof1WDC/DCconvertersinaminiatureSIPPackagefeaturingI/O-isolationof1000VDC. Ahighefficiencyallowsanoperatingtemperaturerangeof–40°Cto+85°C. Theseconvertersofferaneconomicalsolutionformanyspacecriticalapplicationswhere	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MDLM117-H	文件：58.08 Kbytes Page：7 Pages	POSITIVETHREETERMINALADJUSTABLEVOLTAGEREGULATOR	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MF-117	文件：174.3 Kbytes Page：5 Pages	CommercialTelecom	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
MID117	文件：222.91 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andamplifiers.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJD117	文件：394.75 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain.:hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoMJD112/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MJD117	文件：84.64 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Application ■Lin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD117	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：59.25 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP117	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD117	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：250.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
MAX117C/D
功能描述：
模数转换器 - ADC DICE SALES DICE
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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