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MBR1090	文件：264.67 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1090	文件：58.09 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODE™PowerRectifiers ThisseriesofSWITCHMODEpowerrectifiersusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR1090	文件：56.31 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES -Lowpowerloss,highefficiency -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1090	文件：125.77 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSchottkyRectifiers FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1090	文件：83.3 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifiers SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS10AMPERES60to100VOLTS ...usingtheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.These state–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •Guard–RingforStressProtection •LowForwardVoltage •150°COperatingJunctionTemperature •Guara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBR1090	文件：81.77 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR1090	文件：524.97 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1090	文件：613.1 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1090	文件：141.37 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1090	文件：210.82 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:10A FEATURES Highsurgecapacity. Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. Guardringforov	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
MAX1090BEEI-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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