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MBR1070	文件：45.2 Kbytes Page：1 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSxhottkyBarrierRectifiers	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR1070	文件：166.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C,0.25”(6.35mm)fromcasefor10seco	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBR1070CT	文件：102.96 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR1070CT	文件：73.17 Kbytes Page：2 Pages	10AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR1070CT	文件：64.379 Kbytes Page：2 Pages	10AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR1070CT	文件：265.74 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionAp	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MBR1070CT	文件：635.99 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-10.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR1070CT	文件：92.52 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR1070CT	文件：573 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR1070FCT	文件：381.73 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionAp	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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产品属性

产品编号：
MAX1070CTC+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
10
采样率（每秒）：
1.5M
输入数：
1
输入类型：
差分
数据接口：
SPI
配置：
S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
SAR
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
2.7V ~ 3.6V
电压 - 供电，数字：
1.8V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
12-WQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
12-TQFN（4x4）
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 10BIT SAR 12TQFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MAX1070CTC+T供应商更新时间2025-7-20 10:03:00

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