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MBR1030	文件：1.23352 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR1030	文件：443.35 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRecitifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR1030	文件：1.1711 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-Semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree xxxxwheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecogniti	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR1030	文件：1.4564 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR1030	文件：1.45138 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR1030	文件：166.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C,0.25”(6.35mm)fromcasefor10seco	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBR1030CD	文件：2.27794 Mbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIERS VOLTAGE20~200VoltsCURRENT10Ampers FEATURES •Powerpack •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequency	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG
MBR1030CT	文件：64.989 Kbytes Page：2 Pages	10ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtect	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR1030CT	文件：647.92 Kbytes Page：2 Pages	10AmpSchottkyBarrierRectifier30-60Volts Features •MetalofSiliconRectifier,MajorityCarrierConduction •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •LowPowerLossHighEfficiency •HighSurgeCapacity,HighCurrentCapability •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixDesignates Compliant.SeeOrder	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR1030CT	文件：77.99 Kbytes Page：2 Pages	10ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
MAX1030BEEG-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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